504УН1В, DIP8

Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы К504УН1В представляют собой малошумящий усилитель низкой частоты с высоким входным сопротивлением, выполненный на полевых транзисторах с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для создания селективных усилителей, генераторов синусоидальных и релаксационных колебаний низкой частоты, усилителей сигналов от высокоомных датчиков (пьезо, фотоэлектрических, емкостных, детекторов излучения).